Численное моделирование расходимости излучения и коэффициента оптического ограничения полупроводникового лазера с асимметричным периодическим многослойным волноводом на основе AlGaInAs/InP

Автор: | 11.11.2022

В. Д. Курносов, К. В. Курносов

  • АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
Аннотация: Проведено численное моделирование расходимости излучения и коэффициента оптического ограничения полупроводникового лазера с асимметричным периодическим (многослойным) волноводом. Объяснены причины выбора данной конструкции гетероструктуры и то, к чему приводит выбор других соотношений слоев. Показано, как выбирать толщину активного волновода, положение активной области на волноводе и период решетки многослойного волновода.
Ключевые слова: расходимость излучения, коэффициент оптического ограничения, многослойный волновод, полупроводниковый лазер.
Поступила в редакцию: 25.02.2020
Исправленный вариант: 19.04.2020
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, 50:9, 816–821
Образец цитирования: В. Д. Курносов, К. В. Курносов, “Численное моделирование расходимости излучения и коэффициента оптического ограничения полупроводникового лазера с асимметричным периодическим многослойным волноводом на основе AlGaInAs/InP”, Квантовая электроника, 50:9 (2020), 816–821 [Quantum Electron., 50:9 (2020), 816–821]