Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск
b Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, г. Владивосток
c Тихоокеанский квантовый центр, Дальневосточный федеральный университет
Аннотация: Представлены результаты по формированию лазерно-индуцированных поверхностных периодических структур (ЛИППС) на пленках TiN, CrN и Ge3N4 толщиной 25 – 400 нм с помощью фемтосекундных лазерных импульсов видимого и ИК диапазонов. Исследовано влияние параметров лазерного воздействия (длина волны, энергия импульса, скорость сканирования) на морфологию и химический состав формируемых структур. Обнаружено образование упорядоченных термохимических ЛИППС с комплексным составом нитрид/оксид в случае пленок TiN и CrN и абляционных ЛИППС с малым периодом в случае пленки Ge3N4.
Ключевые слова: лазерно-индуцированные периодические поверхностные структуры, нитриды переходных металлов, нитриды полупроводников.
Поступила в редакцию: 16.09.2022
Исправленный вариант: 27.10.2022
Принята в печать: 27.10.2022
Образец цитирования: К. А. Бронников, С. А. Гладких, К. А. Окотруб, В. П. Корольков, А. А. Кучмижак, А. В. Достовалов, “Формирование лазерно-индуцированных периодических структур на тонких пленках нитридов переходных металлов и полупроводников”, Квантовая электроника, 52:11 (2022), 1012–1017
Скачать (.pdf)