Лазерная генерация на кристаллах ZrO2 – Y2O3 – Ho2O3 в режиме модуляции добротности

Автор: | 24.10.2022

С. А. Артемов, Е. А. Артемов, Е. Е. Ломонова, П. А. Рябочкина, А. Н. Чабушкин

  • Национальный исследовательский Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск
  • Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
  • Международный центр квантовой оптики и квантовых технологий, Московская обл., Одинцовский р-н, д. Сколково
Аннотация: Исследованы энергетические и временные характеристики импульсной двухмикронной лазерной генерации на переходе 5I75I8 ионов Ho3+ кристаллов ZrO2 – Y2O3 – Ho2O3 в режиме модулированной добротности при резонансной накачке на уровень 5I7 излучением непрерывного лазера на кристалле LiYF4 : Tm. Предложены механизмы возникновения “прогаров” на торцах активных элементов из кристаллов ZrO2 – Y2O3 – Ho2O3, образующихся при повышении плотности мощности лазерной генерации.
Ключевые слова: кристаллы ZrO2 – Y2O3 – Ho2O3, лазерная генерация в двухмикронном спектральном диапазоне, режим модуляции добротности
Поступила в редакцию: 26.05.2021
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2021, 51:7, 586–592
Образец цитирования: С. А. Артемов, Е. А. Артемов, Е. Е. Ломонова, П. А. Рябочкина, А. Н. Чабушкин, “Лазерная генерация на кристаллах ZrO2 – Y2O3 – Ho2O3 в режиме модуляции добротности”, Квантовая электроника, 51:7 (2021), 586–592 [Quantum Electron., 51:7 (2021), 586–592]

Скачать (.pdf)