А. К. Долгов, Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, И. Н. Дюжиков, И. А. Глинский, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин
- Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
- Белорусский государственный университет, г. Минск
- Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова, г. Москва
- МИРЭА — Российский технологический университет, г. Москва
- Институт физики микроструктур РАН – филиал Федерального исследовательского центра “Институт прикладной физики РАН”, г. Нижний Новгород
Аннотация: Проведено исследование эффективности электрической накачки квантово-каскадных лазеров (ККЛ) терагерцевого (ТГц) диапазона с полосковой геометрией в зависимости от числа и расположения контактных площадок. На основе численного моделирования распределения электрического потенциала в активной области ТГц ККЛ определены необходимые толщины слоев верхней металлизации ТГц ККЛ для минимизации падения напряжения вдоль лазерной структуры в случае неоднородного питания током. Установлено, что при центральном расположении контакта эффективность электрической накачки существенно выше, чем в случае расположения контактных площадок близко к краям лазерной структуры. Из рассчитанной зависимости интегральной мощности ТГц ККЛ от толщины верхнего металлического слоя показано, что для эффективной инжекции тока необходимо располагать контактные площадки на расстоянии менее 0.5 мм друг от друга.
Ключевые слова: квантово-каскадные лазеры, терагерцевый диапазон, электрическая накачка, активная область
Поступила в редакцию: 01.09.2020
Образец цитирования: А. К. Долгов, Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, И. Н. Дюжиков, И. А. Глинский, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, “Моделирование эффективности электрической накачки квантово-каскадного терагерцевого лазера при неоднородном питании током”, Квантовая электроника, 51:2 (2021), 164–168 [Quantum Electron., 51:2 (2021), 164–168]