Моделирование процесса лазерного усиления с учётом зависимости теплофизических и лазерных характеристик среды от распределения температуры в активном элементе Yb:YAG

Автор: | 17.11.2022

В. В. Петров, В. А. Петров, Г. В. Купцов, А. В. Лаптев, А. В. Кирпичников, Е. В. Пестряков

  • Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
  • Новосибирский государственный университет
  • Новосибирский государственный технический университет
Аннотация: Разработана трёхмерная нестационарная модель процесса лазерного усиления с учётом зависимости теплофизических и лазерных характеристик активных сред от распределения температуры. Проведено численное моделирование процесса лазерного усиления в активных элементах двухкаскадного криогенного лазерного усилителя субджоульного класса, работающего с частотой следования импульсов до 1 кГц. Показано, что учёт температурного распределения является ключевым при расчёте криогенно охлаждаемых лазерных усилителей с мощной диодной накачкой. Определены оптимальные значения параметров излучения диодной накачки, при которых максимально достижимые энергии импульсов на выходе усилителя могут составлять 300 и 570 мДж для частот следования импульсов 1000 и 500 Гц соответственно.
Ключевые слова: диодная накачка, высокая частота следования импульсов, криогенные температуры, лазерный усилитель, уравнение теплопроводности
Поступила в редакцию: 26.02.2020
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, 50:4, 315–320
Образец цитирования: В. В. Петров, В. А. Петров, Г. В. Купцов, А. В. Лаптев, А. В. Кирпичников, Е. В. Пестряков, “Моделирование процесса лазерного усиления с учётом зависимости теплофизических и лазерных характеристик среды от распределения температуры в активном элементе Yb:YAG”, Квантовая электроника, 50:4 (2020), 315–320 [Quantum Electron., 50:4 (2020), 315–320]