Неоднородное уширение и расщепление линий в спектрах YAG:Tm

Автор: | 17.11.2022

М. Н. Попова, Е. П. Чукалина, С. А. Климин, М. Ч. Чу

  • Институт спектроскопии РАН, г. Москва, г. Троицк
  • Center of Crystal Research, National Sun Yat-Sen University, Taiwan
Аннотация: По спектрам высокого разрешения исследованы форма и тонкая структура линий электронных f – f переходов ионов Tm3+ в многофункциональных кристаллах гранатов Y3Al5O12. Неоднородно уширенные линии имеют лоренцеву форму, что свидетельствует о доминирующем вкладе точечных дефектов в неоднородное уширение. Дефекты типа “иттрий на месте алюминия”, возникающие в процессе высокотемпературного роста из расплава, обуславливают также появление спектральных спутников около основных линий.
Ключевые слова: YAG:Tm, спектроскопия высокого разрешения, форма линий, спектральные спутники
Поступила в редакцию: 10.02.2020
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, 50:3, 256–258
Образец цитирования: М. Н. Попова, Е. П. Чукалина, С. А. Климин, М. Ч. Чу, “Неоднородное уширение и расщепление линий в спектрах YAG:Tm”, Квантовая электроника, 50:3 (2020), 256–258 [Quantum Electron., 50:3 (2020), 256–258]