Оптические и генерационные характеристики новых нелинейных кристаллов Ba2Ga8GeS16 и Ba2Ga8(GeSe2)S14 для среднего ИК диапазона

Автор: | 19.10.2022

В. В. Бадиков, Д. В. Бадиков, Г. С. Шевырдяева, В. Б. Лаптев, А. А. Мельников, С. В. Чекалин

  • Кубанский государственный университет, г. Краснодар
  • Институт спектроскопии РАН, Москва, г. Троицк
Аннотация: Впервые выращены монокристаллы Ba2Ga8GeS16 и Ba2Ga8(GeSe2)S14 большого размера и хорошего оптического качества. Измерены их линейные оптические характеристики – спектры пропускания в диапазоне 0.3 – 25 мкм, дисперсия главных значений показателей преломления и двулучепреломление. При облучении кристаллов фемтосекундными лазерными импульсами длительностью 100 фс на длине волны 8.3 мкм получена генерация второй гармоники с эффективностью, сравнимой с достигаемой на кристалле AgGaS2.
Ключевые слова: нелинейно-оптические кристаллы, генерация второй гармоники.
Поступила в редакцию: 26.10.2021
Исправленный вариант: 07.12.2021
Принята в печать:07.12.2021
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2022, 52:3, 296–300
Образец цитирования: В. В. Бадиков, Д. В. Бадиков, Г. С. Шевырдяева, В. Б. Лаптев, А. А. Мельников, С. В. Чекалин, “Оптические и генерационные характеристики новых нелинейных кристаллов Ba2Ga8GeS16 и Ba2Ga8(GeSe2)S14 для среднего ИК диапазона”, Квантовая электроника, 52:3 (2022), 296–300 [Quantum Electron., 52:3 (2022), 296–300]