Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером

Автор: | 08.11.2022

В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, Н. А. Волков, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин

  • ООО “Сигм Плюс”, г. Москва
  • Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва
  • Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург
Аннотация: Созданы полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером. Показано, что применение такого волновода совместно с профильным легированием обеспечивает баланс между внутренними оптическими потерями и тепловым сопротивлением. Дополнительное использование напряженных слоев с увеличенной шириной запрещенной зоны в качестве блокирующих барьеров, ограничивающих утечку электронов из активной области, позволяет увеличить выходную мощность при том же токе накачки. Созданные лазеры с полосковым контактом шириной 100 мкм продемонстрировали выходную оптическую мощность в непрерывном режиме работы 4.0 – 4.4 Вт (ток накачки 14 А) и в импульсном (100 нс, 1 кГц) режиме 15 – 17 Вт (ток накачки 100 А) при комнатной температуре на длине волны генерации 1450 – 1500 нм.
Ключевые слова: полупроводниковый лазер, гетероструктура, AlGaInAs/InP, узкий волновод, электронный барьер.
Поступила в редакцию: 23.09.2020
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, 50:12, 1123–1125
Образец цитирования: В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, Н. А. Волков, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером”, Квантовая электроника, 50:12 (2020), 1123–1125 [Quantum Electron., 50:12 (2020), 1123–1125]