А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков
- Научно-исследовательский институт “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
Аннотация: Исследованы характеристики полупроводниковых излучателей на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения с квантовыми ямами и с различной конфигурацией волноводных слоев. Рассмотрены лазеры с тонким и толстым волноводом применительно к решению задачи повышения выходной мощности. Проведено сравнение полупроводниковых излучателей с нелегированными и легированными волноводными слоями. Рассмотрены лазеры со сверхтонким и утолщенным сильно асимметричным волноводом. Показано, что снижение последовательного и теплового сопротивления уменьшает саморазогрев лазеров и положительно сказывается на повышении выходной мощности и КПД. Продемонстрированы перспективы использования эпитаксиальной интеграции для создания лазеров с несколькими туннельно-связанными излучающими секциями с целью повышения выходной мощности и яркости. Показана возможность создания монолитно-интегрированных лазеров-тиристоров, сочетающих в одном кристалле излучающую секцию и электронный ключ.
Ключевые слова: полупроводниковый лазер, гетероструктура, волновод, легирование, выходная мощность, вольт-амперная характеристика.
Поступила в редакцию: 21.10.2022
Исправленный вариант: 08.12.2022
Образец цитирования: А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, “Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками”, Квантовая электроника, 52:12 (2022), 1079–1087
Скачать (.pdf)