Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов

Автор: | 01.11.2022
Нет комментариев

Н. А. Волков, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин

  • ООО “Сигм Плюс”, г. Москва
  • Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва
  • Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург
Аннотация: Проведено сравнительное изучение полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким и сильно асимметричным волноводами. Показано, что применение таких волноводов при одновременном увеличении энергетической глубины квантовой ямы обеспечивает возможность достижения повышенной мощности. Подобные лазеры на основе как сильно асимметричного, так и сверхузкого волноводов с полосковыми контактами шириной 100 мкм продемонстрировали выходную оптическую мощность 5 Вт (при токах накачки 11.5 и 14 А соответственно) в непрерывном режиме работы при комнатной температуре на длине волны генерации 1450–1500 нм.
Ключевые слова: полупроводниковый лазер, гетероструктура, AlGaInAs/InP, сверхузкий волновод, асимметричный волновод
Поступила в редакцию: 16.02.2021
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2021, 51:4, 283–286
Образец цитирования: Н. А. Волков, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов”, Квантовая электроника, 51:4 (2021), 283–286 [Quantum Electron., 51:4 (2021), 283–286]