Уширение уровней энергии ридберговских состояний с малыми орбитальными моментами в ионах группы IIb термоизлучением окружающей среды

Автор: | 27.10.2022

И. Л. Глухов, А. А. Каменский, В. Д. Овсянников

  • Воронежский государственный университет
Аннотация: Представлен вывод простых аналитических выражений для расчетов индуцируемых излучением черного тела (ИЧТ) ширин ридберговских состояний с малыми орбитальными моментами в ионах Zn+, Cd+, Hg+ группы IIb периодической системы элементов при температурах окружающей среды от 100 до 3000 K. Рассчитаны вероятности радиационных переходов из возбужденных nS-, nP-, nD- и nF-состояний во все дипольно-доступные состояния ионов. При расчетах амплитуд связанно-связанных переходов использованы волновые функции метода квантового дефекта (МКД) для начального и конечного состояний ридберговского электрона. Определены зависимости вероятностей индуцированных распадов и возбуждений от температуры ИЧТ, главного и орбитального квантовых чисел ридберговского иона. Получены аналитические выражения для численных оценок вкладов вероятностей термоиндуцированных распадов и возбуждений в ширину ридберговского энергетического уровня. Рассчитаны численные значения коэффициентов интерполяционных полиномов, представляющих асимптотические разложения по степеням главного квантового числа n для относительных вероятностей распадов и возбуждений ридберговских состояний с большими значениями n и малыми орбитальными моментами l = 0, 1, 2, 3.
Ключевые слова: атом, ион, группа IIb, ридберговские состояния, излучение черного тела, вероятность распада, возбуждения, метод квантового дефекта
Поступила в редакцию: 29.03.2021
Исправленный вариант: 22.04.2021
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2021, 51:6, 511–517
Образец цитирования: И. Л. Глухов, А. А. Каменский, В. Д. Овсянников, “Уширение уровней энергии ридберговских состояний с малыми орбитальными моментами в ионах группы IIb термоизлучением окружающей среды”, Квантовая электроника, 51:6 (2021), 511–517 [Quantum Electron., 51:6 (2021), 511–517]