Ватт-амперные характеристики мощных импульсных полупроводниковых лазеров (1060 нм), работающих при повышенных (до 90 °С) температурах

Автор: | 02.11.2022

П. С. Гаврина, А. А. Подоскин, Е. В. Фомин, Д. А. Веселов, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев

  • Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург
  • ООО ”Эльфолюм”, г. С.-Петербург
Аннотация: Исследованы импульсные излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров на основе асимметричной гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с активной областью, включающей две квантовые ямы, и градиентным волноводом со стороны р-эмиттера. Показано, что использование предложенной конструкции позволяет обеспечить эффективную работу лазеров при накачке импульсами тока длительностью 100 нс в интервале температур 25 – 90 °C. Лазеры с длиной резонатора Фабри–Перо 2900 мкм продемонстрировали пиковую мощность 62 Вт (ток инжекции 123 А) и 43 Вт (122 А) при температурах 25 °C и 90 °C соответственно. Показано, что при комнатной температуре и уровне токов ~50 А уменьшение длины резонатора до 600 мкм не приводит к снижению излучаемой мощности по сравнению с лазерами с длинным (2900 мкм) резонатором. Увеличение температуры до 90 °C при высоких токах накачки приводит к резкому падению излучательной эффективности лазеров с коротким (600 мкм) резонатором и переходу их в режим с двухполосным спектром генерации.
Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, гетероструктура, импульсная накачка, спектр лазерной генерации
Поступила в редакцию: 05.11.2020
Исправленный вариант: 25.11.2020
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2021, 51:2, 129–132
Образец цитирования: П. С. Гаврина, А. А. Подоскин, Е. В. Фомин, Д. А. Веселов, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Ватт-амперные характеристики мощных импульсных полупроводниковых лазеров (1060 нм), работающих при повышенных (до 90 °С) температурах”, Квантовая электроника, 51:2 (2021), 129–132 [Quantum Electron., 51:2 (2021), 129–132]