С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. А. Веселов, Л. С. Ефремов, В. В. Золотарев, А. Е. Казакова, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин
- Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Разработан генерирующий в спектральной области 1060 нм импульсный источник излучения с пиковой выходной оптической мощностью киловаттного уровня на основе вертикального стека микролинеек полупроводниковых лазеров полосковой конструкции со сверхширокой (800 мкм) апертурой. Конструкция стека содержит три микролинейки с тремя излучателями в каждой, что обеспечивает размер области излучения 2.6 × 0.4 мм. Наибольшая излучательная эффективность созданного стека составляет 2.48 Вт/А. Продемонстрированная максимальная пиковая мощность достигла 1400 Вт при накачке стека импульсами тока с амплитудой 650 А и длительностью 100 нс и была ограничена возможностями источника тока.
Ключевые слова: лазерный стек, импульсный полупроводниковый лазер.
Поступила в редакцию: 26.10.2021
Образец цитирования: С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. А. Веселов, Л. С. Ефремов, В. В. Золотарев, А. Е. Казакова, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин, “Вертикальные стеки мощных импульсных (100 нc) полупроводниковых лазеров киловаттного уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой (800 мкм) апертурой на длине волны 1060 нм”, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 171–173 [Quantum Electron., 52:2 (2022), 171–173]