Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs

Автор: | 16.11.2022

К. Ю. Телегин, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Н. А. Волков, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, А. Н. Апарников, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк

  • АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
  • Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва
Аннотация: Проанализировано влияние легирования волноводных слоев на выходные характеристики лазерных излучателей на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs. Изучены гетероструктуры с узким и расширенным волноводами. Экспериментально получены образцы линеек лазерных диодов с нелегированными и легированными волноводными слоями, и проведено их сравнение. Показано, что последний вариант конструкции структур с расширенным волноводом позволяет при прочих равных условиях увеличить выходную мощность линеек лазерных диодов на 10% – 15%.
Ключевые слова: полупроводниковый лазер, линейка лазерных диодов, волновод, легирование, выходная мощность
Поступила в редакцию: 24.01.2020
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, 50:5, 489–492
Образец цитирования: К. Ю. Телегин, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Н. А. Волков, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, А. Н. Апарников, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк, “Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 50:5 (2020), 489–492 [Quantum Electron., 50:5 (2020), 489–492]