Влияние плотности мощности излучения СО2-лазера на коэффициент поглощения поликристаллических CVD-алмазов

Автор: | 08.11.2022

М. С. Андреева, Н. В. Артюшкин, М. И. Крымский, А. И. Лаптев, Н. И. Полушин, В. Е. Рогалин, М. В. Рогожин

  • Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
  • Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, г. Москва
  • Институт электрофизики и электроэнергетики РАН, г. С.-Петербург
Аннотация: Исследовано воздействие сфокусированного излучения непрерывного СО2-лазера на неохлаждаемую пластину поликристаллического CVD-алмаза в диапазоне плотностей мощности лазерного излучения 300–800 кВт/cм2 при времени облучения 1 с. Обнаружено, что при плотности мощности 800 кВт/cм2 коэффициент поглощения на 0.035см-1 больше, чем при 300 кВт/cм2. что связано с температурной зависимостью его фононно-индуцированного поглощения при изменении температуры пластины от 44 до 100 °С. Показано, что поликристаллический алмаз, в отличие от других оптических материалов, не подвержен нелинейному (лавинообразному) росту поглощения при плотностях мощности излучения СО2-лазера как минимум до 800 кВт/см2.
Ключевые слова: поликристаллический CVD-алмаз, СО2-лазер, излучение, плотность мощности, коэффициент поглощения, выходное окно, пирометр, математическое моделирование.
Поступила в редакцию: 18.08.2020
Исправленный вариант: 05.10.2020
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, 50:12, 1140–1145
Образец цитирования: М. С. Андреева, Н. В. Артюшкин, М. И. Крымский, А. И. Лаптев, Н. И. Полушин, В. Е. Рогалин, М. В. Рогожин, “Влияние плотности мощности излучения СО2-лазера на коэффициент поглощения поликристаллических CVD-алмазов”, Квантовая электроника, 50:12 (2020), 1140–1145 [Quantum Electron., 50:12 (2020), 1140–1145]