Л. И. Исаенко, А. П. Елисеев, Д. Б. Колкер, В. Н. Веденяпин, С. А. Журков, Е. Ю. Ерушин, Н. Ю. Костюкова, А. А. Бойко, В. Я. Шур, А. Р. Ахматханов, М. А. Чувакова
- Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
- Новосибирский государственный технический университет
- Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
- Институт геологии и минералогии им. В. С. Соболева СО РАН, г. Новосибирск
- Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
Аннотация: Кристалл титанил арсената калия (KTiOAsO4, КТА) размером 50 × 80 × 60 мм выращен модернизированным методом Чохральского из раствор-расплава (TGGS) с понижением температуры от 900 до 770 °С в процессе вытягивания. Показано, что спектроскопические свойства участков кристаллов КТА, полученных при 900 и 770 °С, близки, тогда как электропроводность низкотемпературного (770 °C) участка КТА оказалась на порядок ниже, чем у высокотемпературного. Визуализация доменной структуры методом микроскопии генерации второй гармоники выявила более эффективное (сквозь образец) прорастание доменов в низкотемпературном КТА, что важно при изготовлении регулярной доменной структуры (РДС) в нелинейно-оптическом элементе на основе кристалла КТА. Установлено, что квантовая эффективность параметрической генерации света в РДС с использованием низкотемпературного КТА в несколько раз выше, чем при использовании высокотемпературного. Полученные результаты важны для оптимизации параметров РДС.
Ключевые слова: кристалл титанил арсената калия, спектры поглощения, регулярные доменные структуры, параметрическая генерация света
Поступила в редакцию: 09.02.2020
Исправленный вариант: 14.05.2020
Образец цитирования: Л. И. Исаенко, А. П. Елисеев, Д. Б. Колкер, В. Н. Веденяпин, С. А. Журков, Е. Ю. Ерушин, Н. Ю. Костюкова, А. А. Бойко, В. Я. Шур, А. Р. Ахматханов, М. А. Чувакова, “Влияние температуры выращивания монокристаллов KTiOAsO4 на их физико-химические параметры и формирование доменных структур”, Квантовая электроника, 50:8 (2020), 788–792 [Quantum Electron., 50:8 (2020), 788–792]