Перейти к содержимому
КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Lasers & Their Applications
  • Главная
  • Архив
  • Рубрики
  • Таблица соответствия ссылок
  • Информация для авторов
  • Документы
  • Контакты

2019 г. Управление параметрами лазерного излучения

Автор: admin_q | 03.12.2024
Нет комментариев

Годы

2025
2024
2023
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
2000

Генерация управляемых мод Айнса–Гаусса в микрочиповом лазере с пассивной модуляцией добротности при накачке усеченным нецентральным гауссовым пучком
Минмин Чжан, Шэнчуан Бай, Цзюнь Дун

Фазировка диодной линейки с использованием фазового дифракционного зеркала
С. И. Державин, Н. М. Лындин, В. Н. Тимошкин

Раздел: Статья
Навигация по записям
← 2020 г. Управление параметрами лазерного излучения 2018 г. Управление параметрами лазерного излучения →

МЕНЮ

  • Подписка на "Квантовую электронику"
  • Impact factor

ИНФОРМАЦИЯ


Редакция работает удаленно.
По всем вопросам- ke@lebedev.ru

Адрес редакции:

119991 ГСП-1, Москва, Ленинский просп., 53, ФИАН
Email: ke@lebedev.ru