Годы
Анализ механизмов насыщения мощных импульсных полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры InGaAsP/InP, излучающих на длине волны 1.55 мкм
А. Э. Ризаев, А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, В. А. Крючков, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин
Влияние контактной металлизации на тепловое сопротивление и качество излучения мощного многомодового лазерного диода
С. Х. Нажметов, А. В. Фомин
Высокоэнергетический N2-лазер с накачкой продольным разрядом
И. Н. Коновалов, Ю. Н. Панченко, В. Ф. Лосев, А. В. Пучикин, Д. М. Лубенко
Гольмиевый волоконный лазер ультракоротких импульсов с внутрирезонаторным продольным сканированием насыщающегося поглотителя
А. И. Лобанов, В. А. Камынин, С. А. Филатова, А. Исмаил, Н. Р. Арутюнян, Е. А. Образцова, Коматсу Натсуми, Коно Юничиро, Е. Д. Образцова, В. Б. Цветков
Мощный лазер на кристалле CdSSe с длиной волны излучения 623.5 нм при продольной двухфотонной накачке
В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов
Формирование мод Лагерра–Гаусса и непланарных геометрических мод в лазере на красителе с накачкой через аксикон
О. А. Бурдукова, А. Л. Коромыслов, В. А. Петухов, М. А. Семенов, Ю. В. Сенатский, А. М. Чекмарев