Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs

Ф. И. Зубов, Ю. М. Шерняков, Н. Ю. Гордеев, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. Е. Жуков

Санкт-Петербургский научно-исследовательский академический университет им. Ж.И.Алферова РАН, г. Санкт-Петербург
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», С.-Петербург

Аннотация: Исследованы лазеры различной конструкции (полосковые лазеры и лазеры с полудисковым резонатором) с квантовыми точками InGaAs, формируемыми по механизму роста, отличному от механизма Странского – Крастанова. Продемонстрирована возможность достижения лазерной генерации на основном оптическом переходе при рекордно высоких (134 – 153 см^-1) оптических потерях. По оценке, насыщенное модовое усиление составило 45 см^-1 на один слой квантовых точек, что в разы превышает значения, характерные для лазеров на квантовых точках традиционного типа.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, квантовые точки, оптическое усиление.

Поступила в редакцию: 18.03.2022

Образец цитирования: Ф. И. Зубов, Ю. М. Шерняков, Н. Ю. Гордеев, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. Е. Жуков, “Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 52:7 (2022), 593–596

Скачать (pdf)